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J-GLOBAL ID：201502208883001001   整理番号：15A0996694

FTOガラス基板上に作製した(Pb_0.52Zr_0.48)TiO₃薄膜の強誘電性と光電気特性

Ferroelectric and photoelectricity properties of (Pb_0.52Zr_0.48)TiO₃ thin films fabricated on FTO glass substrate

著者 (3件)： CHENG Tie Dong (Jiangxi Univ. of Sci. and Technol., School of Electrical Engineering and Automation, 341000, Ganzhou, People’s ...) ,  ZHOU Nai Jun (Jiangxi Univ. of Sci. and Technol., School of Electrical Engineering and Automation, 341000, Ganzhou, People’s ...) ,  LI Pei (Jiangxi Univ. of Sci. and Technol., School of Electrical Engineering and Automation, 341000, Ganzhou, People’s ...)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 9  ページ： 7104-7108  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイト構造(Pb_0.52Zr_0.48)TiO₃(PZT)薄膜をFTO(FドープSnO₂)被覆ガラス基板上に作製した。その中で,FTOは,バッファ層及び下部電極として用いられた。サンドイッチ構造Au/PZT/FTOキャパシタは,5Vのバイアス電圧下で約56μC/cm²の残留分極と~10^-5A/cm²の漏れ電流密度を持つ優れた透過度,強誘電性及び漏れ特性を示した。Au/PZT/FTO薄膜は,印加DCバイアス場で大きく変化し,500kV/cmでの印加場下で88%の同調性と54の性能指数を持つ。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チタン酸塩 ,  *薄膜 ,  *強誘電性 ,  鉛化合物 ,  ジルコニウム化合物 ,  酸化スズ ,  ドーピング ,  X線回折 ,  光透過 ,  ヒステリシス ,  誘電分極 ,  電流電圧特性 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  残留分極 ,  漏れ電流

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： FTO ,  ガラス基板 ,  作製 ,  薄膜 ,  強誘電性 ,  電気特性