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J-GLOBAL ID：201502208963699573   整理番号：15A1399586

表面伝導型電子放出体の均一性と電子放出効率を改善する新しい構造

A new structure for improving the uniformity and electron emission efficiency of surface conduction electron emitters

著者 (5件)： WANG Xiao (Key Lab. for Physical Electronics and Devices of the Ministry of Education, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, 710049, CHN) ,  SHEN Zhihua (Key Lab. for Physical Electronics and Devices of the Ministry of Education, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, 710049, CHN) ,  WU Shengli (Key Lab. for Physical Electronics and Devices of the Ministry of Education, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, 710049, CHN) ,  ZHANG Jintao (Key Lab. for Physical Electronics and Devices of the Ministry of Education, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, 710049, CHN) ,  HU Wenbo (Key Lab. for Physical Electronics and Devices of the Ministry of Education, Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, 710049, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 357  号： PB  ページ： 2184-2188  発行年： 2015年12月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導電膜の中央に隆起構造をもつ表面伝導電子放出素子(SCE)を提案した。この新しい構造により,ナノスケールの亀裂の形成位置を電鋳プロセス中に容易に制御でき,これがSCEの均一性を改善する助けとなる。典型的なSCE調製の方法とは対照的に,導電膜がスパッタされる前に,SiO₂ストリップ層が電極の間隙の真ん中に堆積される。このSiO₂ストリップ層上の導電膜が電鋳プロセス中にジュール熱を集めることができ,その結果として,SiO₂膜と導電膜の段差領域に沿った領域にナノスケールの亀裂を形成させる。実験結果はこの新しい構造が電子放出効率を0.191%から0.779%まで増加させることを示した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フラットパネルディスプレイ ,  均一性 ,  *電極 ,  *素子構造 ,  薄膜 ,  *隆起 ,  *表面亀裂 ,  *ナノ構造 ,  二酸化ケイ素 ,  電鋳 ,  抵抗加熱 ,  *電界放出
準シソーラス用語： 表面伝導型電子放出素子ディスプレイ ,  *電子放出素子 ,  導電膜

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 表面伝導 ,  電子放出 ,  均一性