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J-GLOBAL ID：201502209010609653   整理番号：15A0336899

選択領域エピタクシーにより交差ストライプパターンを使用してGaNマイクロファセット上に成長させたInGaN/GaN多重量子井戸のモルフォロジー発展及び発光特性

Morphology evolution and emission properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on GaN microfacets using crossover stripe patterns by selective area epitaxy

著者 (14件)： WU Zhenlong (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronics Sci. and ...) ,  WU Zhenlong (Inst. of Optoelectronics, Nanjing Univ. and Yangzhou, Yangzhou 225009, CHN) ,  CHEN Peng (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronics Sci. and ...) ,  CHEN Peng (Inst. of Optoelectronics, Nanjing Univ. and Yangzhou, Yangzhou 225009, CHN) ,  YANG Guofeng (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronics Sci. and ...) ,  YANG Guofeng (Inst. of Optoelectronics, Nanjing Univ. and Yangzhou, Yangzhou 225009, CHN) ,  YANG Guofeng (School of Sci., Jiangnan Univ., Wuxi 214122, CHN) ,  XU Zhou (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronics Sci. and ...) ,  XU Zhou (Inst. of Optoelectronics, Nanjing Univ. and Yangzhou, Yangzhou 225009, CHN) ,  XU Feng (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronics Sci. and ...) ,  XU Feng (Inst. of Optoelectronics, Nanjing Univ. and Yangzhou, Yangzhou 225009, CHN) ,  JIANG Fulong (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronics Sci. and ...) ,  ZHANG Rong (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronics Sci. and ...) ,  ZHENG Youdou (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronics Sci. and ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 331  ページ： 444-448  発行年： 2015年03月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 交差ストライプパターンの選択領域エピタクシー(SAE)GaNマイクロファセット構造のモルフォロジー発展を調べ,また半極性ファセットのあるこれらのマイクロ構造物の上に成長させた半極性InGaN/GaN多重量子井戸(MQW)の発光特性を調べた。内側リングの形は,GaNの成長温度が高くなると温度の上昇による成長速度及び表面安定性の変化の結果として徐々に長方形から六角形に変わった。三つの半極性ファセット({11-22},{21-33}及び{1-101}ファセット)がこれらの構造の内側リング上で同定されたが,それは半極性InGaN/GaN MQWの発光特性により立証された。これらの半極性ファセット上のMQWの発光波長は{1-101}>{21-33}>{11-22}の順であり,これはInGaN成長の間のいろいろな面における成長速度及びインジウム導入量の違いのためである。さらに,MQWのインジウム組成はモルフォロジーの発展により変化した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 選択成長 ,  *エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  *インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *多重量子井戸 ,  *パターン形成 ,  ファセット ,  極性 ,  *MOCVD ,  *陰極線ルミネセンス ,  ヘテロ接合 ,  可視発光スペクトル
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム ,  半極性

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (10件)： エピタクシー ,  交差 ,  GaN ,  ファセット ,  成長 ,  InGaN ,  多重量子井戸 ,  モルフォロジー ,  発展 ,  発光特性