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J-GLOBAL ID:201502209015878564   整理番号:15A0780541

SUS316Lおよびそのモデル合金中の高温における格子間クラスターの1次元マイグレーション

One-dimensional migration of interstitial clusters in SUS316L and its model alloys at elevated temperatures
著者 (8件):
資料名:
巻: 95  号: 13-15  ページ: 1587-1606  発行年: 2015年05月 
JST資料番号: E0753C  ISSN: 1478-6435  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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様々な濃縮の合金における自己格子間原子(SIA)クラスターに対して,300K近傍での電子線照射は1次元(1D)マイグレーションを誘起する。しかし,高温ではFe基bcc合金における1Dマイグレーションは,しばしば300K近傍のものの1/10以下に減少する。本研究では,SUS316Lおよびそのモデル合金に対して,高圧電子顕微鏡を用いたその場観察によって,高温での1Dマイグレーションのメカニズムを調べた。まず,高温に対して,SIAクラスターの熱処理および短時間の電子線照射の1Dマイグレーションに対する影響を調べた。熱処理したSUS316Lでは1Dマイグレーションが抑制され,次いで300Kでの長時間照射により回復した。高純度のFe-18Cr-13Niモデル合金では,熱処理または照射は効果を示さなかった。モデル合金に炭素または酸素を添加すると,熱処理後の1Dマイグレーションが抑制された。MnおよびSiの添加は熱処理後,短時間の電子線照射後の1Dマイグレーションを抑制しなかった。1Dマイグレーションの抑制は,分離した溶質元素によるSIAクラスターのピンニングに起因し,回復は電子線照射下での原子間混合による偏析の分解に起因した。次に,高温における連続的な電子線照射下での,SUS316L中のSIAクラスターの1次元マイグレーションを調べた。673Kにおける1Dマイグレーションの頻度は照射強度に比例し,それは300Kでの値の半分であった。1Dマイグレーションは,原子間の混合による1Dマイグレーションの誘導および溶質偏析による抑制,の2つの効果の競合によって支配されることを提案した。
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金属の放射線による構造と物性の変化 

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