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J-GLOBAL ID：201502209111988450   整理番号：15A0662659

光触媒材料である窒素ドープルチル型酸化チタンの自己エネルギーで補正したAb Initioシミュレーション

Self-Energy Corrected Ab Initio Simulation of the Photo-Catalytic Material Nitrogen Doped Rutile TiO₂

著者 (3件)： RIBEIRO Mauro,Jr. (Technological Inst. Aeronautics, SP, BRA) ,  RIBEIRO Mauro,Jr. (Univ. Sao Paulo, BRA) ,  SHEVLIN Stephen (Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 7  号： 4  ページ： 623-630  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化チタンは,水素発生のための代表的な光触媒であるが,バンドギャップが大きいという欠点を持つ。窒素ドーピングは,その欠点を克服する方法の一つであるが,ドーピングによるバンドギャップ縮小の理論的な考察は,十分に行われてこなかった。著者らは,Ab Initioシミュレーションにより,ルチル型酸化チタンのバンドギャップに対する窒素ドーピングの影響を調べた。本シミュレーションでは,従来から使用されている密度汎関数法に換えて,自己エネルギーを補正したLDA-1/2法を用いた。最初に,酸化チタンそのもので,LDA-1/2により電子状態を計算し,正確な値が得られることを確認した。次に,窒素のドーピングの影響を調べた,結果として,実験値と極めて良く一致するバンドギャップを計算することができた。

シソーラス用語： *ルチル型結晶 ,  *酸化チタン ,  *バンドギャップ ,  *自己エネルギー ,  *ab initio法 ,  *計算機シミュレーション ,  光触媒 ,  *触媒活性 ,  発生 ,  ドーピング ,  局所密度汎関数法 ,  電子状態 ,  計算 ,  理論
準シソーラス用語： *光触媒活性 ,  水素発生 ,  窒素ドーピング ,  理論計算

分類 (3件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  分子・遺伝情報処理  (JE15040B) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光触媒材料 ,  窒素ドープ ,  ルチル型酸化チタン ,  自己エネルギー ,  シミュレーション