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J-GLOBAL ID：201502209160647490   整理番号：15A1162180

Ge MIS素子用Alベース界面層における比較研究

A Comparison Study on the Al-based Interfacial Layers for Ge MIS Devices

著者 (2件)： YANG Yi-Gin (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  TSUI Bing-Yue (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits  (Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻： 22nd  ページ： 336-339  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1259A  ISSN： 1946-1542  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *MIS構造 ,  半導体素子 ,  アルミニウム ,  *境界層 ,  *窒化アルミニウム ,  *酸化アルミニウム ,  *漏れ電流 ,  *ヒステリシス ,  *状態密度 ,  薄膜コンデンサ ,  超薄膜 ,  酸化膜 ,  膜厚 ,  電子 ,  正孔 ,  キャリア移動度 ,  *拡散障壁
準シソーラス用語： 界面層 ,  界面状態密度 ,  MISキャパシタ

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  MIS素子 ,  Al ,  界面層 ,  研究