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J-GLOBAL ID：201502209190984040   整理番号：15A1235901

GaNH FETにおけるトラップと局在電子ガス【Powered by NICT】

Traps and Localized Electron Gases in GaN HFET

著者 (1件)： Xue Fangshi (Sci. and Technol. on Monolithic Integrated Circuits and Modules Lab., Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 35  号： 3  ページ： 207-216  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： FETにおけるトラップの様々な挙動を比較した,その結果から,多くの挙動はエネルギーバンドからトラップにおける電子のタッピングによって説明できないことが分かった。外部チャネルにおける高密度トラップはトラップ中の電子のタッピングによっては誘発されなかったことを内側と外側のチャネルとの間のトラップ密度の大きな違いから提案した。二次元Poisson方程式とSchroedinger方程式の自己無撞着解により,大きなバンド変形はゲート-ドレインギャップ,部分的二次元電子ガスは強い電場ピークを通って移動することができなかったにおける強電場ピークの二側間に作られたし,いくつかの局在化した電子ガスが形成されたことが分かった。局在電子ガスのこの新しい概念を用いて,GaNH FETにおけるトラップの実験現象を解釈可能であり,その結果から,局在電子ガスはこれらのトラップ実験における「トラップ」と間違えたことを提案した。GaNH FETにおける電流コラプスと信頼性のための困難な問題を解決する新しい経路は,局在化した電子ガスの深い研究から提案した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元電子ガス ,  Schroedinger方程式 ,  電場 ,  信頼性 ,  コンシステンシー【計算機】 ,  二次元 ,  バンド ,  チャネル ,  Poisson方程式 ,  *電子ガス
準シソーラス用語： 局在化 ,  高電場 ,  高密度 ,  エネルギー帯 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： FET ,  トラップ ,  電子ガス