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J-GLOBAL ID：201502209211420274   整理番号：15A1088547

室温における低強度光検出のための微細工学CH₃NH₃PbI₃ナノワイヤ/グラフェンフォトトランジスタ

Microengineered CH₃NH₃PbI₃ Nanowire/Graphene Phototransistor for Low-Intensity Light Detection at Room Temperature

著者 (9件)： SPINA Massimo (Lab. of Physics of Complex Matter (LPMC), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, 1015, Lausanne, CHE) ,  LEHMANN Mario (Lab. of Physics of Complex Matter (LPMC), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, 1015, Lausanne, CHE) ,  NAFRADI Balint (Lab. of Physics of Complex Matter (LPMC), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, 1015, Lausanne, CHE) ,  BERNARD Laurent (Lab. of Physics of Complex Matter (LPMC), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, 1015, Lausanne, CHE) ,  BONVIN Eric (Lab. of Physics of Complex Matter (LPMC), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, 1015, Lausanne, CHE) ,  GAAL Richard (Lab. of Physics of Complex Matter (LPMC), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, 1015, Lausanne, CHE) ,  MAGREZ Arnaud (Crystal Growth Facility, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, 1015, Lausanne, CHE) ,  FORRO Laszlo (Lab. of Physics of Complex Matter (LPMC), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, 1015, Lausanne, CHE) ,  HORVATH Endre (Lab. of Physics of Complex Matter (LPMC), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, 1015, Lausanne, CHE)
資料名： Small  (Small)
巻： 11  号： 37  ページ： 4824-4828  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,はじめて光活性CH₃NH₃PbI₃ナノワイヤのネットワーク性能をCVD成長単一層グラフェンにより増強させたハイブリッドフォトトランジスタを報告した。これらの素子は可視域で約2.6×10⁶AW^-1と高い応答性をもち,室温単一光子検出器としての可能性を示した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フォトトランジスタ ,  *光検出 ,  *ナノワイヤ ,  *グラフェン ,  *光子計数 ,  アンモニア ,  *鉛化合物 ,  メチル化 ,  化学蒸着 ,  単一層 ,  可視光 ,  応答特性 ,  *ヨウ化物
準シソーラス用語： *ヨウ化鉛 ,  光活性 ,  *単一光子計数

分類 (3件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  光検出 ,  微細 ,  工学 ,  ナノワイヤ