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J-GLOBAL ID：201502209216108295   整理番号：15A1113438

ZnOの光学バンドギャップと吸収スペクトルに及ぼすin2N重共ドーピングと優先配向の影響【Powered by NICT】

Effect of In-2N heavy co-doping and preferred orientation on the optical band gap and absorption spectrum of ZnO

著者 (3件)： Hou Qingyu (Coll. of Sciences, Inner Mongolia Univ. of Technol., Hohhot) ,  Li Wencai (Coll. of Sciences, Inner Mongolia Univ. of Technol., Hohhot) ,  Zhao Chunwang (Coll. of Sciences, Inner Mongolia Univ. of Technol., Hohhot)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 64  号： 6  ページ： 067101-1-067101-8  発行年： 2015年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ZnOの光学バンドギャップと吸収スペクトルに及ぼすIn-N共ドーピング効果は広く研究されているが,In-N共ドープZnO材料の全てがランダムドーピングであり,ZnOの非偏極構造を用いた優先配向ドーピングは,これまで考慮されていない。そこで本論文では,第一原理平面波ウルトラソフト擬ポテンシャル(GGA+U)法を用いた密度汎関数理論に基づいて,異なる方向での無ドープおよびIn-N高共ドープZn(1-x)In_x O(1-y)N_y(x= 0.0625-0.03125, y=0.0625-0.125)の状態と吸収スペクトルの密度を計算した。結果は同じドーピングモードで,ドーピング系の体積が大きくなり,全エネルギーと形成エネルギーは高く,狭い光学的バンドギャップがあることを示した。吸収スペクトルの赤方偏移はIn2N共ドーピング量の増加と共により顕著になった。は実験結果と良く一致した。異なるドーピング方法と同じIn2N共ドープ濃度の条件下で,c軸方向に沿ってCo切欠きIn-N原子は,c軸に垂直な方位を持つIn-N原子よりも吸収スペクトルの狭い光学的バンドギャップとより有意な赤方偏移を示した。著者らは,これらの結果は,共ドープZnO高濃度In-Nの新しい光触媒材料の設計及び調製に役に立つ可能性があると信じている。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 全エネルギー ,  第一原理 ,  光触媒 ,  密度汎関数法 ,  *優先配向 ,  *バンドギャップ ,  平面波 ,  *光学ギャップ ,  *ドーピング ,  赤方偏移 ,  *吸収スペクトル
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  GGA+U ,  擬ポテンシャル ,  *共ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  量子光学一般  (BD04010X) ,  物理学一般  (BA01010T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  光学バンドギャップ ,  吸収スペクトル ,  共ドーピング ,  優先配向