HARTUNG D. について
I. Physikalisches Inst., Justus-Liebig-Universitaet Giessen, 35392 Giessen, DEU について
GATHER F. について
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HERING P. について
I. Physikalisches Inst., Justus-Liebig-Universitaet Giessen, 35392 Giessen, DEU について
KANDZIA C. について
I. Physikalisches Inst., Justus-Liebig-Universitaet Giessen, 35392 Giessen, DEU について
REPPIN D. について
I. Physikalisches Inst., Justus-Liebig-Universitaet Giessen, 35392 Giessen, DEU について
POLITY A. について
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MEYER B. K. について
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KLAR P. J. について
I. Physikalisches Inst., Justus-Liebig-Universitaet Giessen, 35392 Giessen, DEU について
Applied Physics Letters について
酸化銅 について
化合物半導体 について
半導体薄膜 について
依存性 について
熱電効果 について
スパッタ蒸着 について
固相 について
非化学量論 について
非晶質 について
輸送係数 について
電気伝導率 について
熱伝導率 について
性能指数 について
酸化第一銅 について
酸化第二銅 について
X線回折 について
Seebeck係数 について
結晶相 について
組成依存性 について
半導体結晶の電気伝導 について
比熱・熱伝導一般 について
薄膜 について
熱電特性 について
組成 について
関数 について
評価 について