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J-GLOBAL ID：201502209300478366   整理番号：15A0429320

橋懸けシリコンナノワイヤにおける少数キャリアの長い拡散長

Long Minority Carrier Diffusion Lengths in Bridged Silicon Nanowires

著者 (6件)： TRIPLETT M. (Univ. California, California, USA) ,  YANG Y. (Univ. California, California, USA) ,  LEONARD F. (Sandia National Lab., California, USA) ,  TALIN A. Alec (Sandia National Lab., California, USA) ,  ISLAM M. Saif (Univ. California, California, USA) ,  YU D. (Univ. California, California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 1  ページ： 523-529  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SOI(縮退P型Si)ウェハからSi(111)を側面に持つSi電極対をパタン形成し,側面のAu種からSiナノワイヤ(NW)を垂直に一様な径(φ~100nm)でCVD成長し,対向Si電極側面に「自己溶接」して橋懸けSiNWを作製した。このNWに電気化学的に容量結合してゲートとし,チャネル電流とゲート電圧特性からP型ドーピングを確かめ,キャリア移動度および密度を見積った。走査型光電流顕微鏡を用いてNW上のレーザ光照射位置を走査し,位置の関数としてゼロバイアスのときの光電流の距離に対する指数関数減衰を見出し,橋懸けSiNW素子の電子拡散長が既報(相当するφのNWの)値に比し長い(2.7μm)ことを示した。一方,電子線リソグラフィを用いて作製した平面状のNW素子では電子拡散長は45nmに低下した。橋懸けSiNWの長い拡散長を,リソグラフィ無しで橋懸けた(基板無しの)そのままのSiNW表面での表面再結合が抑制されるためとした。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  化学蒸着 ,  *懸垂 ,  電流電圧特性 ,  顕微鏡 ,  ドーピング ,  *拡散距離 ,  キャリア再結合
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  p型ドーピング ,  SOIウェハ ,  *拡散長 ,  走査型光電流顕微鏡 ,  表面再結合

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコンナノワイヤ ,  少数キャリア ,  拡散長