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J-GLOBAL ID：201502209336499211   整理番号：15A0473804

Si基材上のCuS薄膜の向上したトライボロジー性能:APS-PAA緩衝層のケース

Enhanced tribological performance of CuS thin film on Si substrate: the case of APS-PAA buffer layer

著者 (1件)： ZHANG Yidong (Xuchang Univ., Xuchang, CHN)
資料名： Industrial Lubrication and Tribology  (Industrial Lubrication and Tribology)
巻： 67  号： 1  ページ： 81-84  発行年： 2015年 
JST資料番号： E0093A  ISSN： 0036-8792  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた潤滑特性を有する硫化銅(CuS)は,トライボロジー分野で注目されており,種々のCuS薄膜生成法のうちで連続イオン化層吸収および反応(SILAR)法が最も良く使われている。SILAR法によって,均一な厚さ,成分の薄膜を得るためには,基材表面の吸収性能の向上が鍵である。本論文では,ケイ素基材上のCuS薄膜のトライボロジー特性に及ぼす3-アミノプロピル-トリエトキシシラン-ポリアクル酸(APS-PAA)緩衝層の影響を調べた。最初に,APS-PAA緩衝層を自己集合法で,ケイ素基材上に蒸着させ,次に,SILAR法によって蒸着膜をCuS膜によってコーティングした。APS-PAA緩衝層の使用により,CuS膜が緻密,平滑かつ均質になり,その結果,CuS膜のトライボロジー特性が大幅に向上した。

シソーラス用語： 性質 ,  特性 ,  *硫化銅 ,  被覆 ,  薄膜 ,  ケイ素
準シソーラス用語： *トライボロジー特性 ,  *コーティング

分類 (1件)： 潤滑一般  (QB02010S)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  薄膜 ,  トライボロジー ,  緩衝層