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J-GLOBAL ID：201502209342941171   整理番号：15A0697973

SiC(0001)上のBi/Sbハニカムの非自明な電子構造

The nontrivial electronic structure of Bi/Sb honeycombs on SiC(0001)

著者 (7件)： HSU Chia-Hsiu (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  HUANG Zhi-Quan (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHUANG Feng-Chuan (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  KUO Chien-Cheng (National Sun Yat-Sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  LIU Yu-Tzu (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  LIN Hsin (National Univ. Singapore, Singapore, SGP) ,  BANSIL Arun (Northeastern Univ., Massachusetts, USA)
資料名： New Journal of Physics (Web)  (New Journal of Physics (Web))
巻： 17  号： Feb  ページ： 025005 (WEB ONLY)  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： U7017A  ISSN： 1367-2630  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC(0001)基板上の平面Bi/Sbハニカムに基づく2次元トポロジカル絶縁体(TI)を,第一原理計算を使って論じた。SiC(0001)上のBi/Sb平面ハニカムは0.58eVと大きい非自明なバンドギャップを持つことを示した。これによって,バンドギャップ内にDirac円錐が存在するようになる。平面ハニカムの片側だけ,あるいは両方に水素原子を置いた場合の効果を調べた。水素化したハニカムはジグザグと共にアームチェアのエッジにおいて,ビスマスとアンチモンで各々1.03,0.41eVの幅広いバンドがあるトポロジカルに保護されたエッジ状態を見せることが分った。著者らの結果は,平面のビスマスとアンチモンのハニカムは,室温に応用する有望な新しい2次元Tlプラットフォームとしての道を開く。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *ビスマス ,  *アンチモン ,  絶縁材料 ,  バンドギャップ ,  電子状態 ,  原子 ,  水素化 ,  格子 ,  密度汎関数法 ,  バンド構造 ,  絶縁体 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： *Dirac円錐 ,  GGA【近似】 ,  エッジ状態 ,  トポロジカルに保護された状態 ,  ハニカム格子 ,  水素原子

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  Bi ,  Sb ,  電子構造