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J-GLOBAL ID：201502209353573256   整理番号：15A1140664

光電気化学電池用途のためのFe²⁺ドープZnSeナノニードルの特性研究

Studies of properties of Fe²⁺ doped ZnSe nano-needles for photoelectrochemical cell application

著者 (5件)： LOHAR Gaurav M. (Shivaji Univ., Holography and Materials Res. Lab., Dep. of Physics, 416 004, Kolhapu, MH, IND) ,  DHAYGUDE Haridas D. (Shivaji Univ., Holography and Materials Res. Lab., Dep. of Physics, 416 004, Kolhapu, MH, IND) ,  PATIL Ranjit A. (National Dong Hwa Univ., Dep. of Physics, 97401, Hualien, Taiwan) ,  MA Yuan-Ron (National Dong Hwa Univ., Dep. of Physics, 97401, Hualien, Taiwan) ,  FULARI Vijay J. (Shivaji Univ., Holography and Materials Res. Lab., Dep. of Physics, 416 004, Kolhapu, MH, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 11  ページ： 8904-8914  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究はFe²⁺ドープZnSeナノニードルの光電気化学電池特性を報告する。このナノニードルはFe²⁺ドーピングパーセンテージを変えた電着の単純な定電流モードを使ってデポジットした。XRD,XPS,FT-RAMNのような実験調査を通した相形成の補助構成を行い,その結果が互いに一致していること分かった。AFM調査はFESEM結果と一致し,実質的にナノニードルの形成を確認した。1%Fe²⁺ドープZnSeはナノニードルによって良好な光電気化学電池特性を示し,小さい電荷移動抵抗,良好な吸光度,小さいバンドギャップなどである。観察された短絡電流は220μAで開回路電圧は504mVである。計算によるフィルファクタと効率は1%Fe²⁺ドープZnSeでそれぞれ0.32と0.23%である。他のデポジットした膜に比べて1%Fe²⁺ドープZnSe薄膜の直列抵抗値が比較的低いのは光電気化学電池の効率が良いこともその理由である。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光電気化学電池 ,  ナノ構造 ,  針 ,  鉄 ,  ドーピング ,  *セレン化亜鉛 ,  電着 ,  改変 ,  電気化学インピーダンス ,  吸光度 ,  バンドギャップ ,  短絡電流 ,  電圧 ,  撮像特性 ,  X線回折 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： ZnSe ,  *ナノニードル ,  フィルファクタ ,  開回路電圧 ,  相形成 ,  電荷移動抵抗

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光電気化学電池 ,  用途 ,  ドープ ,  ZnSe ,  ナノニードル ,  研究