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J-GLOBAL ID：201502209386298811   整理番号：15A1045255

Ge(111)基板上へのGaAsのMBE成長におけるGaSb緩衝層の効果

著者 (5件)： 梶川靖友 (島根大 総合理工) ,  SON Y. (島根大 総合理工) ,  早瀬久貴 (島根大 総合理工) ,  後河内健太 (島根大 総合理工) ,  入江将大 (島根大 総合理工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.14A-2W-8  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *MBE成長 ,  アンチモン化ガリウム ,  *バッファ層 ,  ゲルマニウム ,  X線回折
準シソーラス用語： *緩衝層

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  GaAs ,  MBE成長 ,  GaSb ,  緩衝層