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J-GLOBAL ID：201502209449433950   整理番号：14A1444972

IRFPAの応用のためのHgCdTe MBEの進歩【Powered by NICT】

Progress on HgCdTe MBE for the application of IRFPAs

著者 (10件)： Chen Lu (Key Lab of Infrared Devices and Materials, Shanghai Inst. of Technical Physics of the Chinese Acad. of Sciences ...) ,  Fu Xiangliang (Key Lab of Infrared Devices and Materials, Shanghai Inst. of Technical Physics of the Chinese Acad. of Sciences ...) ,  Wang Weiqiang (Key Lab of Infrared Devices and Materials, Shanghai Inst. of Technical Physics of the Chinese Acad. of Sciences ...) ,  Shen Chuan (Key Lab of Infrared Devices and Materials, Shanghai Inst. of Technical Physics of the Chinese Acad. of Sciences ...) ,  Hu Xiaoning (Key Lab of Infrared Devices and Materials, Shanghai Inst. of Technical Physics of the Chinese Acad. of Sciences ...) ,  Ye Zhenhua (Key Lab of Infrared Devices and Materials, Shanghai Inst. of Technical Physics of the Chinese Acad. of Sciences ...) ,  Lin Chun (Key Lab of Infrared Devices and Materials, Shanghai Inst. of Technical Physics of the Chinese Acad. of Sciences ...) ,  Ding Ruijun (Key Lab of Infrared Devices and Materials, Shanghai Inst. of Technical Physics of the Chinese Acad. of Sciences ...) ,  Chen Jianxin (Key Lab of Infrared Devices and Materials, Shanghai Inst. of Technical Physics of the Chinese Acad. of Sciences ...) ,  He Li (Key Lab of Infrared Devices and Materials, Shanghai Inst. of Technical Physics of the Chinese Acad. of Sciences ...)
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 44  号： 4  ページ： 341-349  発行年： 2014年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 赤外焦点面アレイの第三世代による要求上のHgCdTe集束の分子ビームエピタキシャル成長の進歩について述べた。大フォーマットH gCdTe IRFPAが求められ,大面積代替基板上のHgCdTe MBEへの取り組みを示した,結晶品質,表面形態,ならびにCd組成umiformityの改善など。512×512MWとSW IRFPAにデバイス作製はHgCdTeエピ層の性能を実証した。格子整合基板上のHgCdTe MBEの研究についても述べた,これはLWとAPD HgCdTe検出器の製作に不可欠である。成長条件最適化後,エピ層の均一性は大幅に改善された。10mm HgCdTe/ZnCdTe(x=0.22)について,(422)X線回折のFWHMの典型的な値は25arcsec以下であり,EPDの最良の結果は3×10~4cmに達した~(-2)ことが分かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *テルル化カドミウム水銀 ,  MBE成長 ,  集束 ,  格子整合 ,  アバランシェフォトダイオード ,  検出器 ,  最適化 ,  X線回折 ,  FWHM ,  電気泳動堆積
準シソーラス用語： 焦点面アレイ ,  大面積 ,  結晶品質 ,  表面形態 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 物理学一般  (BA01010T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 応用 ,  HgCdTe ,  MBE