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J-GLOBAL ID：201502209463674724   整理番号：15A0941421

APDの高線形化と28Gbaud PAM4動作への応用

High-linearity avalanche photodiode and its application for 28Gbaud PAM4 operation

著者 (6件)： 名田允洋 (NTT) ,  星拓也 (NTT) ,  山崎裕史 (NTT) ,  横山春喜 (NTT) ,  橋本俊和 (NTT) ,  松崎秀昭 (NTT)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 107(LQE2015 20-29)  ページ： 43-46  発行年： 2015年06月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 光通信用高速アバランシェフォトダイオード(APD)の高線形化について議論する。今回提案するAPDは,光吸収層における正孔の蓄積に起因した空間電荷効果を,感度および帯域を犠牲にすることなく有効に低減することで,高い光入力に対する電気出力の線形性を実現する。作製したAPDを光レシーバに実装し,28Gbaud PAM4(56Gbit/λ)の光信号に対し,ビットエラーレート2.3×10^-4において-17dBmの最小受信感度を確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *アバランシェフォトダイオード ,  光通信 ,  線形性 ,  容量 ,  誤り率 ,  ディジタル変調 ,  利得 ,  *PAM【信号】 ,  キャリア密度 ,  最適化 ,  *改変
準シソーラス用語： *APD【ダイオード】 ,  パラメータ最適化 ,  ビットエラーレート ,  光学利得 ,  正孔密度 ,  多値変調 ,  大容量化 ,  *線形化

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S)

引用文献 (7件)：

• http://www.ieee802.org/3/bs/
• http://www.ieee802.org/3/400GSG/.
• W. Sun, Y. Fu, Z. Lu, and J. C. Campbell, ” Study of bandwidth enhancement and non-linear behavior in avalanche photodiodes under high power condition,” J. Appl. Phys. 113, 044509 (2013).
• M. Nada, Y. Muramoto, H. Yokoyama, T. Ishibashi, and H,. Matsuzaki, ”High-power-tolerant InAlAs avalanche photodiode for 25 Gbit/s applications,” Electron. Lett., 49, XX (2013).
• T. Ishibashi, N. Shimizu, S. Kodama, H. Ito, T. Nagatsuma and T. Futruta, ”Uni-Traveling-Carrier Photodiode,” in Proc. of Ultrafast Electronics and Optoelectronics, 13, 83 (1997).

タイトルに関連する用語 (3件)： APD ,  線形化 ,  応用