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J-GLOBAL ID：201502209529815804   整理番号：15A0987596

SiGeプロセスに基づく線形RF電力増幅器の設計【Powered by NICT】

The Design of Linear RF Power Amplifier Based on SiGe Process

著者 (2件)： Guan Huizheng (Dep. of Electronics System Technol.,Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Yan Yuepeng (Dep. of Electronics System Technol.,Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing)
資料名： Weidianzixue yu Jisuanji  (Weidianzixue yu Jisuanji)
巻： 32  号： 1  ページ： 64-67  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2387A  ISSN： 1000-7180  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ(H BT)に基づく線形RF電力増幅器を紹介した。3段電力増幅器は,各段階における自己適応バイアスによってバイアスされる。間整合ネットワークはチップに統合されるとボンディングワイヤ間整合ネットワークにおけるインダクタとして使用されている。電力増幅器は2GHzで動作し,電力増幅器の帯域幅は50MHzであり,利得は30dBであり,1dB圧縮点における出力電力が27.1dBm,電力付加効率は1dBで36%圧縮点である。電力増幅器の供給電圧は3.4Vで,チップサイズは1mm×0.7mmである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 利得 ,  バイアス ,  線形性 ,  インダクタ ,  *電力増幅器 ,  電力付加効率 ,  ネットワーク ,  帯域幅 ,  HBT【トランジスタ】 ,  半導体チップ
準シソーラス用語： チップサイズ ,  供給電圧 ,  出力電力 ,  自己適応 ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 計算機網  (JC03000K) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  プロセス ,  線形 ,  RF ,  電力増幅器 ,  設計