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J-GLOBAL ID：201502209588635038   整理番号：15A0870251

GaNホットエレクトロントランジスタのAC性能に対するベーススタックの役割

The Role of the Base Stack on the AC Performance of GaN Hot Electron Transistor

著者 (5件)： SOLIGO Riccardo (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  CHOWDHURY Srabanti (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  GUPTA Geetak (Univ. California at Santa Barbara, CA, USA) ,  MISHRA Umesh (Univ. California at Santa Barbara, CA, USA) ,  SARANITI Marco (Arizona State Univ., AZ, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 7  ページ： 669-671  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,ホットエレクトロントランジスタ(HET)を使って高周波増幅器を製作する技術が提案された。しかし,使用材料の悪い品質のため増幅器としての適用に制約がある。最近,InGa HETで遮断周波数75GHzが報告された。この測定から,伝送時間は小さいがキャパシタンス充電時間がデバイスの周波数特性を支配していることが示された。本稿では,ベースレイアウトの遮断周波数に対する影響をモンテカルロACシミュレーションから直接計算した。この計算では,ベースにおけるコールドエレクトロンのダイナミクスを含む固有キャパシタンスの影響を完全に含んでおり,遮断周波数の直接計算が可能である。スケーリングしたデバイスの遮断周波数を短絡回路電流利得から計算し,100GHz以上であることが分かった。遮断周波数は固有遅延時間C_b/gmにより記述できることを示した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *トランジスタ ,  *ホットエレクトロン ,  高周波増幅器 ,  遮断周波数 ,  シミュレーション ,  モンテカルロ法 ,  時間 ,  遅延特性
準シソーラス用語： *GaN ,  *ホットエレクトロントランジスタ ,  モンテカルロシミュレーション ,  遅延時間

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ホットエレクトロントランジスタ ,  Ac ,  スタック ,  役割