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J-GLOBAL ID：201502209597672469   整理番号：15A1073808

レーザテキスチャード加工SiC表面上の濡れ挙動に対する液滴サイズの効果

Effect of droplet size on wetting behavior on laser textured SiC surface

著者 (2件)： WANG Rong (Coll. of Mechanical Engineering, Zhejiang Univ. of Technol., Chaowang RD 18, Zhaohui 6D, Hangzhou, Zhejiang 310032, CHN) ,  BAI Shaoxian (Coll. of Mechanical Engineering, Zhejiang Univ. of Technol., Chaowang RD 18, Zhaohui 6D, Hangzhou, Zhejiang 310032, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 353  ページ： 564-567  発行年： 2015年10月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザテキスチャード加工SiC表面上の濡れ挙動に対する液滴サイズの効果を調べた。固有接触角101°をもつ平滑な表面上に微小正方形凸型表面を加工した。次いでいろいろな液滴体積をもつ脱イオン水を使った静滴法で平滑面とテキスチャード加工表面の双方の上で接触角を測定した。テキスチャード加工SiC表面では濡れ挙動に対して大きな液滴サイズ効果があることが分かった。平滑面上の接触角はいろいろな水滴体積に対して変動振幅13°で安定を保っている。しかし,接触角は液滴体積を0.001μLから1μLまで増加すると共に42.25°から131.25°まで大きく増加し,次いで液滴体積が1μLを超えた場合は不変に保たれる。相関分析は接触角が底面の直径と溝幅の比を増加すると共に増加し,次いでこの比が25を超えた場合には安定を維持することを示し,いろいろな液滴体積に対する濡れ挙動を説明した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  レーザ加工 ,  *テキスチャード加工 ,  表面加工 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  *液滴 ,  *濡れ ,  *接触角 ,  水滴 ,  *液滴径分布
準シソーラス用語： 表面モルフォロジー

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  膜流,液滴,気泡,キャビテーション  (BC02070U)

タイトルに関連する用語 (6件)： レーザ ,  テキスチャード加工 ,  SiC ,  濡れ ,  挙動 ,  液滴サイズ