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文献
J-GLOBAL ID:201502209646865464   整理番号:15A0948589

放射/電子輸送層ヘテロ接合インタフェイスでの蓄積電子低減によるOLEDのロールオフ特性の緩和

[Paper] Mitigation of Roll-off Property in OLED by Accumulated Electron Reduction at Emission/Electron-Transport Layer Heterojunction Interface
著者 (4件):
資料名:
巻:号:ページ: 127-132 (J-STAGE)  発行年: 2015年
JST資料番号: U0407A  ISSN: 2186-7364  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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有機発光ダイオード(OLEDs)における放射層(EML)とキャリア輸送層間のヘテロ接合インタフェイスでのキャリア蓄積のロールオフ特性への依存性を検討した。インジウム錫酸化物(ITO,145nm,アノード)/N,N′-Di-[(1-ナフチル)-N,N′-ジフェニル]-1,1′-ビフェニル)-4,4′-ジアミン(α-NPD,20nm)/5wt%-ルブレン-ドープDPA(42nm)/トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム(Alq3,20nm)/フッ化リチウム(LiF,0.5nm)/Al(100nm,カソード)構造を持つ在来のOLEDは代表的ロールオフ特性を示したけれども,ロールオフ特性を,ITO(145nm,アノード)/40w%のモリブデン(VI)三酸化物(MoO3)ドープ9,10-ジフェニル-アントラセン(DPA,30nm)/DPA(10nm)/5wt%-5,6,11,12-テトラフェニル-ナフタセン(ルブレン)-ドープDPA(40nm)/DPA(20nm)/14wt%-セシウム(Cs)-ドープDPA(20nm)/アルミニウム(Al,100nm,カソード)構造で緩和した。この差は,OLEDのインタフェイスでの明瞭なヘテロ接合構造の低減に続く,EMLと電子輸送層(ETL)間のインタフェイスでの電子蓄積の減少に帰することができた。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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発光素子 
引用文献 (19件):
  • 1) C. W. Tang and S. A. Van Slyke: "Organic Electroluminescent Diodes", Appl. Phys. Lett. 51, pp.913-915 (1987)
  • 2) C. Adachi, S. Tokito, T. Tsutsui, and S. Saito: "Electroluminescence in Organic Films with Three-Layer Structure", Jpn. J. Appl. Phys., 27, pp.L269-L271 (1988)
  • 3) C. Adachi, S. Tokito, T. Tsutsui, and S. Saito: "Organic Electroluminescent Device with a Three-Layer Structure", Jpn. J. Appl. Phys., 27, pp.L713-L715 (1988)
  • 4) J. Kido, T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, and A. Yokoi: "High Efficiency Organic EL Devices having Charge Generation Layers", SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap., 34, pp.964-965 (2003)
  • 5) T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, and J. Kido: "Multiphoton Organic EL device having Charge Generation Layer", SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 34, pp.979-981 (2003)
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