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J-GLOBAL ID：201502210026147349   整理番号：15A1061853

スパッタエピタクシーによりSi基板に成長した単結晶p-i-n Si薄膜太陽電池

Single-crystal p-i-n-Si thin-film solar cells grown on Si substrate by sputter epitaxy

著者 (2件)： YEH Wenchang (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  TATEBE Kyohei (Shimane Univ., Matsue, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 8S1  ページ： 08KB07.1-08KB07.5  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それぞれ,光吸収層とエミッタ層として,高ドープp-Si(100)ウエハ上に,1000nm厚の真性スパッタ-エピタキシャル(SE)Si膜と,50nm厚n⁺SE-Si膜を成長して,太陽電池のp-i-n接合を形成した。SbとSiの同時スパッタにより電子濃度nが3×10²⁰cm^-3をもつ高ドープn⁺SE-Si膜を成長した。310°Cで成長したSE-Siの特性を,アニーリング温度に関連して調べた。SE-Siの酸素濃度は約10¹⁸cm^-3であり,これは反応室からの放出ガスに由来する。膜中のnの種源は,酸素誘起熱ドナーであり,熱ドナーが水素で中性化されるので,700°Cでのフォーミングガスアニーリング後は1×10¹⁶cm^-3に低下する。太陽電池は,最大内部量子効率73.7%を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  単結晶 ,  *PIN接合 ,  *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  エピタクシー ,  *量子効率 ,  ドーピング ,  アンチモン ,  スパッタリング ,  熱処理 ,  濃度
準シソーラス用語： *薄膜太陽電池 ,  内部量子効率 ,  同時スパッタリング ,  酸素濃度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (31件)：

• E. A. Alsema, Prog. Photovoltaics 8, 17 (2000).
• H. Morikawa, Y. Nishimoto, H. Naomoto, Y. Kawama, A. Takami, S. Arimoto, T. Ishihara, and K. Namba, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 53, 23 (1998).
• D. Amkreutz, J. Müller, M. Schmidt, T. Hänel, and T. F. Schulze, Prog. Photovoltaics 19, 937 (2011).
• J. Dore, D. Ong, S. Varlamov, R. Egan, and M. Green, IEEE J. Photovoltaics 4, 33 (2013).
• I. Gordon, L. Carnel, D. Van Gestel, G. Beaucarne, and J. Poortmans, Prog. Photovoltaics 15, 575 (2007).

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタ ,  エピタクシー ,  Si基板 ,  成長 ,  単結晶 ,  Si薄膜 ,  太陽電池