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J-GLOBAL ID：201502210067618674   整理番号：15A1231105

CIGS基板上に化学浴堆積法によって成長させたIn₂S₃バッファ層の特性に及ぼすポストアニールの効果

Effect of post annealing on the characteristics of In₂S₃ buffer layer grown by chemical bath deposition on a CIGS substrate

著者 (4件)： OMELIANOVYCH Andrii (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., Daejeon 34141, KOR) ,  KIM Ji Hye (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., Daejeon 34141, KOR) ,  LIUDMILA Larina (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., Daejeon 34141, KOR) ,  AHN Byung Tae (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., Daejeon 34141, KOR)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 15  号： 12  ページ： 1641-1649  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu(In,Ga)Se₂(CIGS)太陽電池において代替CdフリーのバッファとしてIn₂S₃を化学浴堆積によってCIGS基板上に堆積し,CIGS太陽電池に膜特性を最適化するためにポストアニール後に特性評価した。化学浴堆積の前のH₂O₂処理により均一でピンホールのないIn₂S₃膜をCIGS基板上に堆積した。In₂S₃層はIn-S,In-O,In-OH結合の共存によりアモルファス状態であった。200°CでのアニールはCIGSからIn₂S₃層への銅の拡散を起こし,3.3から1.9eVへバンドギャップを低下させ,アモルファス状態から結晶状態への相転移をもたらす。In₂S₃/CIGS界面における伝導バンドアラインメントは,ポストアニールによって制御できる。In₂S₃膜を介する短絡電流が30nmの厚さまで防止され,1.15eVの浅い欠陥をアニールによって除去した。結果は,空気中でのポストアニールは,サブ30nmのCBD-In₂S₃バッファ層を持つCIGS太陽電池を製造するために重要であることを示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  セレン化インジウム銅 ,  基板 ,  *析出 ,  *バッファ層 ,  *インジウム化合物 ,  *硫化物 ,  *焼なまし ,  過酸化水素 ,  非晶質 ,  銅 ,  拡散 ,  バンドギャップ ,  相転移 ,  結晶 ,  界面 ,  伝導バンド ,  アラインメント ,  短絡電流 ,  格子欠陥 ,  浅い準位
準シソーラス用語： *CIGS太陽電池 ,  バンドアライメント ,  *ポストアニール ,  *化学浴堆積 ,  *硫化インジウム

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： CIGS ,  化学浴堆積 ,  成長 ,  バッファ層 ,  ポストアニール