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J-GLOBAL ID：201502210080361496   整理番号：15A1215744

2μm AlGaAsSb/InGaSb I型量子井戸の高出力レーザダイオード【Powered by NICT】

High power laser diodes of 2 μm AlGaAsSb/InGaSb type I quantum-wells
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著者 (8件)：
Liao Yongping

Liao Yongping について

(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences State Key Lab. for Superlattices and Microstructures, Beijing)

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Zhang Yu

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Xing Junliang

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Wei Sihang

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Hao Hongyue

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Wang Guowei

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Xu Yingqiang

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Niu Zhichuan

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資料名：
Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)

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巻： 36  号： 5  ページ： 054007-01-054007-04  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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2μm AlGaAsSb/InGaSbタイプI量子井戸高出力レーザダイオード(LD)を,分子ビームエピタクシーを用いて成長させた。端面のコーティングをしないストライプ型導波路単一LD(単一エミッタ)とアレイLD(四エミッタ)デバイスを作製した。単一LD(単一エミッタ)デバイスでは,連続波(CW)動作下で最大出力パワーがしきい値電流密度150cm~2及び0.17スロープ効率と10°Cで0.5W,5%のデューティサイクルでパルスモード下での出力パワーははるかに高く,0.98WまでアレイLD素子では,最大出力パワーは室温でパルスモードでCWモード下で1.02Wと3.03Wであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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エミッタ【半導体】

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