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J-GLOBAL ID：201502210152498416   整理番号：15A1225061

バンドギャップの調節を有する新規なC₃N₄/Zn_1-xCd_xSヘテロ構造およびその可視光光触媒特性

Novel C₃N₄/Zn_1-xCd_xS heterostructures with adjustment of the band gap and their visible light photocatalytic properties

著者 (4件)： CUI Xia (Dep. of Chemistry, Fujian Normal Univ., Fuzhou 350007, P. R. China. [e-mail]) ,  ZHENG Yi Fan ,  YIN Hao Yong ,  SONG Xu Chun
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 17  号： 43  ページ： 29354-29362  発行年： 2015年11月21日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究においては焼成および水熱合成法によってバンドギャップの調節を有するC₃N₄/Zn_1-xCd_xS(0≦x≦1)ヘテロ構造の調製に成功した。C₃N₄/Zn_1-xCd_xS複合光触媒の光触媒特性を可視光照射下のRhBの光触媒分解によって評価した。結果によると2種類の半導体光触媒の組合せ(C₃N₄およびZn_1-xCd_xS)は純C₃N₄およびZn_1-xCd_xSと比べて可視光照射下のRhBの光触媒分解効率を大いに増強した。中でも0.1C₃N₄/Zn_0.8Cd_0.2S複合光触媒はRhBの分解効率が90分以内に97.9%に達する最も高い光触媒活性を示した。0.1C₃N₄/Zn_0.8Cd_0.2S複合光触媒のめざましい光触媒活性は主に適切なバンド構造および光生成電子-空孔対の有効な分離によるものであった。さらに,複合半導体光触媒過程の可能な基本的機構を考察した。さらに,0.1C₃N₄/Zn_0.8Cd_0.2Sヘテロ構造光触媒におけるRhBの分解のこの光触媒プロセスにおいてO₂^-およびh⁺が主な反応性酸化化学種であることを検討した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： バンドギャップ ,  炭素化合物 ,  窒化物 ,  亜鉛化合物 ,  カドミウム化合物 ,  硫化物 ,  *ヘテロ接合 ,  *可視光 ,  *光触媒
準シソーラス用語： 窒化炭素

分類 (3件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (5件)： バンドギャップ ,  調節 ,  ヘテロ構造 ,  可視光 ,  触媒特性