文献

J-GLOBAL ID：201502210164379412   整理番号：15A1367049

初期材料のナノスケール静電ゲーティングのための非侵襲的方法

A Noninvasive Method for Nanoscale Electrostatic Gating of Pristine Materials

著者 (5件)： BEUKMAN Arjan J. A. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  QU Fanming (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  WEST Ken W. (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  PFEIFFER Loren N. (Princeton Univ., New Jersey, USA) ,  KOUWENHOVEN Leo P. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 10  ページ： 6883-6888  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,ヘテロ構造材料の初期の品質を保持してナノスケールゲーティングを可能とする新規アプローチを実行した。QPC(量子点接触)中の量子化されたコンダクタンスおよび量子ドット中のCoulomb閉鎖特性の測定により,作製したフリップ-チップセットアップは,~100nmのゲート-ヘテロ構造分離と数ピコメータの振動振幅を要して操作することを実証した。セットアップのキャラクタリゼーションののちに,高磁場での測定を実行した。ゲート-チップにおけるFPI(Fabry-Perot干渉計)ゲートパターンを用いて,IQH(整数量子ホール)端部状態の干渉をプローブした。量子干渉は,電子-電子相互作用,すなわち,Colomb支配領域により支配されていた。

シソーラス用語： 静電気 ,  *制御 ,  量子Hall効果 ,  コンダクタンス ,  量子ドット ,  素子構造 ,  e-e相互作用 ,  点接触 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  干渉 ,  Fabry-Perot干渉計
準シソーラス用語： *ゲーティング ,  ヘテロ構造 ,  電子-電子相互作用 ,  量子干渉 ,  量子点接触

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 初期 ,  ナノスケール ,  ゲーティング ,  非侵襲的