環境に優しい光起電力応用のための真空蒸着In<sub>2</sub>S<sub>3</sub>バッファ層の物理的性質に及ぼす熱アニーリングの影響

NEHRA S.P.; CHANDER S.; SHARMA Anshu; DHAKA M.S.

文献

J-GLOBAL ID：201502210187548378 整理番号：15A1172171

環境に優しい光起電力応用のための真空蒸着In₂S₃バッファ層の物理的性質に及ぼす熱アニーリングの影響

Effect of thermal annealing on physical properties of vacuum evaporated In₂S₃ buffer layer for eco-friendly photovoltaic applications

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=15A1172171&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=15A1172171&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W1055A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 40 ページ： 26-34 発行年： 2015年12月
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

ここでは,環境に優しいバッファ層光起電力応用のためのIn₂S₃薄膜の物理的性質に及ぼす熱アニーリングの影響を報告する。熱真空蒸着法とその後の150-450°Cの低温度での空気雰囲気中堆積後熱アニーリングを用いて,ガラス及びインジウムスズ酸化物(ITO)被覆ガラス基板上に150nm厚さの薄膜を堆積した。この堆積したまま及びアニーリングした膜を構造,光学,電気及び表面モフォロジー解析するために,それぞれ,X線回折(XRD),紫外可視分光光度計,電流-電圧試験,走査電子顕微鏡(SEM)評価を行った。堆積したままの膜における組成分析をエネルギー分散型分光法(EDS)を用いて行う。XRDパターンから,堆積したまま及び≦300°Cでアニーリングした膜は,非晶質の性質を持ち,一方,450°Cでアニーリングした膜は,優先配向が(109)であり,多結晶性の正方晶系相β-In₂S₃を示すことが明らかになる。熱アニーリング(450°C)薄膜の格子定数,面間隔,粒子サイズ,内部歪み,転位密度及び単位面積当たりの結晶数のような結晶学的パラメーターを計算する。光学バンドギャップは,2.84-3.04eVの範囲に存在することが分かり,アニーリング温度と共に増加することが観察された。電流-電圧特性から,堆積したまま及びアニーリングした膜は,線形オーミック挙動を示すことが分かる。SEM研究から,堆積したまま及びアニーリングした膜は,均一で均質で結晶欠陥やボイドを含まないことが分かる。薄膜における結晶粒は,サイズが類似しており,高密度に充填され,熱アニーリングと共に増加することが観察される。実験結果から,熱アニーリングは,堆積したままのIn₂S₃薄膜の構造的,光学的,電気的及びモフォロジー的性質において重要な役割を果たし,薄膜太陽電池応用のためのカドミウムを含まない環境に優しいバッファ層として用いることができる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
,

半導体薄膜 , 太陽電池

, , , , , ,

前のページに戻る

環境に優しい光起電力応用のための真空蒸着In2S3バッファ層の物理的性質に及ぼす熱アニーリングの影響

環境に優しい光起電力応用のための真空蒸着In₂S₃バッファ層の物理的性質に及ぼす熱アニーリングの影響