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J-GLOBAL ID:201502210206377694   整理番号:15A0646688

室温におけるコロイド配位子なしPbS及びPbSeナノ結晶の配向付着を使用する電子品位及び柔軟性半導体薄膜

Electronic grade and flexible semiconductor film employing oriented attachment of colloidal ligand-free PbS and PbSe nanocrystals at room temperature
著者 (8件):
資料名:
巻:号: 20  ページ: 9204-9214  発行年: 2015年05月28日 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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室温で溶液処理PbSとPbSeナノ結晶の焼結を経由して電子品位の半導体薄膜を得た。類似薄膜を達成する事前企ては柔軟性高分子基板にこのような薄膜加工を妨げる高温(>350°C)でのナノ結晶焼結を必要とし,それは高価でもあった。二組の重要な方法,すなわち配位子なしナノ結晶とナノ結晶の配向付着を用いることによって焼結温度を縮減した。70°Cでコロイド配位子なしPbSとPbSeナノ結晶を高収率(~70%)で合成した。しかしながら,これらのナノ結晶はホルムアミド中で時間と共に凝結し始め,溶媒和エネルギーを除去するとナノ結晶は配向付着を受けて,一層大きな拡張結晶を形成した。室温のガラスと柔軟性基板上に作製したPbSとPbSeナノ結晶はそれぞれ最適DC電気伝導度0.03S/mと0.08S/mを有するOhm挙動を示した。PbSとPbSeナノ結晶薄膜に対し150°Cの中温薄膜熱処理は電気伝導度値をそれぞれ1.1S/mと137S/mに増加した。電荷輸送機構に対する粒と粒界からの寄与を見分けるためACインピーダンスを測定した。電荷輸送特性は柔軟性高分子基板上の薄膜の繰返し曲げ後類似のままであった。室温でそれぞれPbSとPbSeナノ結晶ペレットに対する600μV/Kと335μV/Kの高いSeebeck係数を得た。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
塩  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  ,  熱電デバイス 

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