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J-GLOBAL ID：201502210258847100   整理番号：15A1094756

反応性MBE法によるエピタキシャルSn_xFe_3-xO₄薄膜の作製

著者 (4件)： 荒木真人 (北大 大学院) ,  柳瀬隆 (北大 工) ,  島田敏宏 (北大 工) ,  長浜太郎 (北大 工)
資料名： 日本磁気学会学術講演概要集  (Abstracts. Annual Conference on Magnetics in Japan)
巻： 39th  ページ： 131  発行年： 2015年08月25日 
JST資料番号： Y0056A  ISSN： 1882-2959  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *フェライト ,  *MBE成長 ,  *薄膜 ,  表面構造 ,  磁気ヒステリシス ,  RHEED ,  酸化鉄 ,  表面粗さ ,  電気抵抗率 ,  飽和磁化 ,  *エピタキシャル膜 ,  *スピネル型フェライト ,  四酸化三鉄 ,  構造
準シソーラス用語： *MBE

分類 (4件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反応性 ,  MBE ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  作製