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J-GLOBAL ID:201502210259273840   整理番号:15A1061898

p型CzochralskiSiウエハ上のAl2O3不動態化に対する焼成工程の影響:電気化学的方法

Impact of the firing step on Al2O3 passivation on p-type Czochralski Si wafers: Electrical and chemical approaches
著者 (6件):
資料名:
巻: 54  号: 8S1  ページ: 08KD21.1-08KD21.5  発行年: 2015年08月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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効率的な表面不動態化の開発は,ε/W比の改善に向けたシリコン太陽電池の重要な特徴である。プラズマ強化原子層堆積により形成したAl2O3層は,p型シリコン上の少数キャリア寿命を増加させる効果を証明した。しかし,金属スクリーン印刷接触用ペーストを含む製造工程の共通部分である焼成工程は,この不動態化効果を崩壊する。本稿では,光電,電気,及び化学実験研究に基づいて,不動態化プロセスを支配する異なる微視的挙動と巨視的挙動間の相関関係について報告した。この相関関係を示すために,少数キャリアの寿命を決定するために,光伝導減衰測定を実施した。続いて,電気的パラメータ,即ち,界面欠陥及び実効電荷の密度を抽出するために,静電容量-電圧測定結果を用いた。また,補完二次イオン質量分析(SIMS)実験により,不動態化品質及び巨視的電気測定の説明に関係づけられる異なる化学種を明らかにした。(翻訳著者抄録)
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分類 (4件):
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太陽電池  ,  その他の無機化合物の薄膜  ,  薄膜成長技術・装置  ,  電極過程 
タイトルに関連する用語 (5件):
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