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J-GLOBAL ID：201502210268733110   整理番号：15A1208089

全イオン注入単結晶シリコン太陽電池までの効率19.1%の【Powered by NICT】

ALL-ION-IMPLANTED SINGLE CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS UP TO EFFICIENCY OF 19.1%

著者 (5件)： Fan Yujie (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics,Inst. of Semiconductors,Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Han Peide (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics,Inst. of Semiconductors,Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Liang Peng (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics,Inst. of Semiconductors,Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Xing Yupeng (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics,Inst. of Semiconductors,Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Ye Zhou (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics,Inst. of Semiconductors,Chinese Acad. of Sciences, Beijing)
資料名： Taiyangneng Xuebao  (Taiyangneng Xuebao)
巻： 36  号： 4  ページ： 829-834  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0629A  ISSN： 0254-0096  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： りんをイオン注入したエミッタとboronimplanted裏面電界(BSF)と全イオンを注入した単結晶シリコン太陽電池は,PESC構造に基づいて調製した。アニーリング特性と注入りん及びほう素のドーピングプロファイル,および太陽電池性能に及ぼすほう素を注入したB SFの影響を解析した。さらに,太陽電池は,従来のPOCl_3拡散エミッタを有する太陽電池と比較した。結果は,ほう素を注入したBSFは長波長応答を改善し,100mVの開回路電圧を増加させると効率は5.4%増加することを示した。りんをイオン注入したエミッタは,短波長応答を改善し,0.8%効率を増加させる。全てのイオン注入した太陽電池の効率は19.1%までに達した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  エミッタ【半導体】 ,  ホウ素 ,  *イオン注入 ,  電場 ,  *イオン ,  *太陽電池 ,  リン
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  *結晶シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： イオン注入 ,  単結晶シリコン太陽電池