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J-GLOBAL ID：201502210293184814   整理番号：15A1349066

黒鉛状青リンの歪誘起バンド構造と移動度変調

Strain-induced band structure and mobility modulation in graphitic blue phosphorus

著者 (7件)： LIU L.Z. (Key Lab. of Modern Acoustics, MOE, Inst. of Acoustics, National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing 210093, CHN) ,  LIU L.Z. (Dep. of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  WU X.L. (Key Lab. of Modern Acoustics, MOE, Inst. of Acoustics, National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing 210093, CHN) ,  WU X.L. (Dep. of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  LIU X.X. (Key Lab. of Modern Acoustics, MOE, Inst. of Acoustics, National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing 210093, CHN) ,  LIU X.X. (Dep. of Physics, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing 210093, CHN) ,  CHU Paul K. (Dep. of Physics and Materials Sci., City Univ. of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 356  ページ： 626-630  発行年： 2015年11月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒鉛状青リンの電子構造とキャリア移動度に対する外部歪の効果を理論的に調べた。面内歪によって誘起された対称性の破れがバンド構造を変調するだけでなく,価電子バンドの最大点と伝導バンドの最小点におけるキャリアの占有数を変え,輸送電流密度を調整できる。面に垂直な方向の圧縮変形は青リンを面内構造に変換し,余分な電子がバンドギャップを減少させて半導体-金属転移を生ずる。この理論的な評価は歪エンジニアリングが電子デバイスを設計する有用な方法であることを明らかにした。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 黒鉛組織 ,  *リン ,  *歪 ,  *電子構造 ,  キャリア移動度 ,  第一原理 ,  対称性の破れ ,  キャリア密度 ,  圧縮変形 ,  *バンドギャップ ,  *金属-半導体転移 ,  電流密度 ,  P型半導体
準シソーラス用語： *青リン

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 黒鉛 ,  青 ,  リン ,  歪 ,  誘起 ,  バンド構造 ,  移動度 ,  変調