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J-GLOBAL ID：201502210322372277   整理番号：15A0780542

PrをドープしたSnO₂薄膜の特性調査

Investigation of characteristic properties of Pr-doped SnO₂ thin films

著者 (2件)： TURGUT G. (Erzurum Technical Univ., Erzurum, TUR) ,  TURGUT G. (Ataturk Univ., Erzurum, TUR)
資料名： Philosophical Magazine  (Philosophical Magazine)
巻： 95  号： 13-15  ページ： 1607-1625  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： E0753C  ISSN： 1478-6435  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 噴霧熱分解法を用いて,PrをドープしたSnO₂薄膜をガラス基板上に作製し,その結晶構造,表面形態,電気伝導度および光透過性をPrドープ量の関数として調べた。X線回折により,膜は(211)優先配向を有することがわかった。Williamson-Hall法を用いて結晶子サイズと歪みの値を決定し,それぞれ71.47nmと208.76nmの間,および1.98×10^-3-2.78×10^-3であった。走査型電子顕微鏡を用いて観察した結果,膜は均一に分散した角錐状の粒子で構成されている。ホール効果の測定から薄膜はn型伝導度を有し,最高の電気的パラメータはPrを3原子%ドープした薄膜で見出された。最高の光学的バンドギャップと透過率の値は,非ドープSnO₂膜において観測された。光電子および太陽電池応用における導電性透明材料の利用効率を解釈するための重要なパラメータである性能指数(Φ)の最高値は,1原子%Prドープにおいて2.85×10^-5Ω^-1と計算された。本研究の結果,上記特性を有するPrドープSnO₂膜は,種々のオプトエレクトロニクス応用における透明導電体として使用できると結論される。

シソーラス用語： *酸化スズ ,  *ドーピング ,  *噴霧法 ,  プラセオジム ,  溶液成長 ,  薄膜成長 ,  *薄膜 ,  *モルフォロジー ,  表面構造 ,  *結晶構造 ,  *電気伝導率 ,  *光透過 ,  走査電子顕微鏡 ,  Hall効果 ,  光学ギャップ ,  太陽電池 ,  性能指数 ,  *透明導電膜
準シソーラス用語： 走査型電子顕微鏡 ,  電気伝導度 ,  表面形態 ,  噴霧熱分解

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： Pr ,  ドープ ,  薄膜 ,  特性調査