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J-GLOBAL ID：201502210393416208   整理番号：15A1114941

GaNナノロッドの発光特性【Powered by NICT】

Luminescence Property of GaN Nanorod

著者 (10件)： Yang Hua (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advance Photonic and Electronic Matrials, Nanjing Univ., Nanjing) ,  Xie Zili (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advance Photonic and Electronic Matrials, Nanjing Univ., Nanjing) ,  Dai Jiangping (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advance Photonic and Electronic Matrials, Nanjing Univ., Nanjing) ,  Xiu Xiangqian (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advance Photonic and Electronic Matrials, Nanjing Univ., Nanjing) ,  Zhao Hong (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advance Photonic and Electronic Matrials, Nanjing Univ., Nanjing) ,  Chen Peng (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advance Photonic and Electronic Matrials, Nanjing Univ., Nanjing) ,  Zhang Rong (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advance Photonic and Electronic Matrials, Nanjing Univ., Nanjing) ,  Shi Yi (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advance Photonic and Electronic Matrials, Nanjing Univ., Nanjing) ,  Han Ping (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advance Photonic and Electronic Matrials, Nanjing Univ., Nanjing) ,  Zheng Youdou (Jiangsu Provincial Key Lab. of Advance Photonic and Electronic Matrials, Nanjing Univ., Nanjing)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 36  号： 3  ページ： 279-282  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： エッチングマスクとしてNi自己組織化ナノドットを用いたICPにより作製したGaNナノロッド。形態を走査型電子顕微鏡( SEM)によりチェックし,光学的性質を室温での光ルミネセンス(PL)スペクトルによって特性化した。GaNナノロッドのPL強度は成長したままのGaN膜のそれと比較して2約6倍増強された。エッチ損傷を治癒するためにGaNナノロッドは,40分間のKOH溶液に浸漬した。処理後,PL強度は再び増加した。温度依存PLの原因は,IQEを推定するために測定した。結果は,PL強度の増強は,KOH処理後により高いIQEに起因することを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  浸漬 ,  スペクトル ,  *ナノロッド ,  温度依存性 ,  走査電子顕微鏡 ,  キャラクタリゼーション ,  光学的性質 ,  エッチング ,  自己組織化
準シソーラス用語： ナノドット ,  *発光特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  ナノロッド ,  発光特性