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J-GLOBAL ID:201502210420404691   整理番号:15A1269285

異なるSiCの放射線誘導重水素吸収に対する変位損傷効果

Displacement damage effect on the radiation induced deuterium absorption for different types of SiC
著者 (3件):
資料名:
巻: 98-99  ページ: 2042-2045  発行年: 2015年10月 
JST資料番号: T0497A  ISSN: 0920-3796  CODEN: FEDEEE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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SiCから誘導した材料は優れた特性をもつことから,FCI(流動チャネル挿入体)のための主要候補である。炉の運転中,セラミック材料は三重水素および厳しい放射線環境に晒される。本研究の主要目的は二つで,先ず,放射線誘導重水素吸収の観点からいろんなタイプのSiCを比較することであり,第二に,変位損傷効果に取り組むことである。放射線で強化される重水素保持性を評価するために,電子照射を実施した試料と実施しない試料の両者に対して熱誘発脱離(TSD)測定を行った。照射中に吸収される重水素量は,SiC材料のタイプに強く依存する。変位損傷効果を調べるために,異なるCiC材料に45keVネオンを打ち込んで変位損傷を発生させた。打ち込み後,重水素吸収はSiCのタイプによらず同じであった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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電子・陽電子との相互作用一般  ,  核融合装置 
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