文献

J-GLOBAL ID：201502210450469320   整理番号：15A0375948

室温ないしそれ以上における連結ZnSe量子ドットの電気輸送特性

Electrical transport properties of consolidated ZnSe quantum dots at and above room temperature

著者 (4件)： SINHA Subhojyoti (Dep. of Physics, National Inst. of Technol., Durgapur, Durgapur 713209, West Bengal, IND) ,  CHATTERJEE Sanat Kumar (Dep. of Physics, National Inst. of Technol., Durgapur, Durgapur 713209, West Bengal, IND) ,  GHOSH Jiten (CSIR-Central Glass and Ceramic Res. Inst., Kolkata, Kolkata 700032, West Bengal, IND) ,  MEIKAP Ajit Kumar (Dep. of Physics, National Inst. of Technol., Durgapur, Durgapur 713209, West Bengal, IND)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 15  号： 4  ページ： 555-562  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連結ZnSe量子ドットの主要な伝導機構と誘電緩和を,周波数域1kHz≦f≦1.5MHz,温度範囲298≦T≦573Kにおいて包括的に研究した。交流伝導率は温度の上昇あるいは周波数の増加とともに増加し,Jonscherのべき乗則に従った。より高温では相関障壁ホッピングが主要な電荷輸送機構であり,最大の障壁高さは0.88eVであった。試料の誘電定数は弱い温度依存性を呈した。直流伝導率研究から,試料の半導体性が明らかになった。これをポーラロンホッピング伝導で議論した。インピーダンス測定を行い,電気等価回路(抵抗と定位相素子から成る)を考察することによって,全電子輸送特性における結晶粒と粒界の役割を明らかにした。電気係数研究からは,実験した範囲における試料の非Debye型応答が明らかになった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *セレン化亜鉛 ,  *量子ドット ,  *誘電緩和 ,  *電気伝導率 ,  法則 ,  *温度依存性 ,  *ホッピング伝導 ,  等価回路 ,  電気測定 ,  インピーダンススペクトル ,  輸送現象 ,  *周波数依存性 ,  *複素誘電率 ,  *ポーラロン ,  *無秩序系 ,  電子-フォノン相互作用
準シソーラス用語： べき乗則 ,  小さいポーラロン ,  *相関障壁ホッピング ,  電子輸送

分類 (3件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 室温 ,  ZnSe ,  量子ドット ,  輸送特性