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J-GLOBAL ID：201502210479149733   整理番号：15A0895268

溶融金属原子が頭頂接触形成間に有機半導体薄膜に及ぼす損傷効果

Damaging Effect of Hot Metal Atoms on Organic Semiconducting Films during Top Contact Formation

著者 (7件)： WANG Chia-Hsin (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  SU Ching-Wen (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHAN Shen Wen (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  FAN Liang-Jen (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  CHEN Ming-Chou (National Central Univ., Jhongli, TWN) ,  YANG Yaw-Wen (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  YANG Yaw-Wen (National Tsing-Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 119  号： 26  ページ： 14593-14602  発行年： 2015年07月02日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究で追求した特異的課題は有機半導体薄膜中へのAu原子拡散,Au原子のクラスタ化,Au原子による有機半導体薄膜への損傷と分子配向秩序化及び随伴する破壊,界面におけるバンド曲がり及びAu原子の側方拡散によってパターン形成析出がいかに折り合うことができるかを含んだ。この目標に対し,シンクロトロンに基づく光電子分光法及び軟X線吸収分光法,原子間力顕微鏡及び一次元位置分解能を有する非在来型イメージングX線光電子分光法を含む数多くの研究技法を用いた。選択有機半導体材料は6cm²/V/sに達する有機電界効果型トランジスタ移動度を有する5,11-ビス(トリエチルシリルエチニル)アントラジチオフェンからなる高性能溶液処理可能有機半導体である。

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *有機半導体 ,  *溶融金属 ,  固体素子 ,  界面 ,  損傷 ,  *蒸着膜 ,  硫黄複素環化合物 ,  金 ,  X線分光法 ,  軟X線 ,  シンクロトロン放射 ,  光電子分光法 ,  紫外線 ,  X線光電子分光法 ,  XANES ,  原子間力顕微鏡 ,  核形成 ,  分子構造 ,  規則度 ,  内殻準位 ,  結合エネルギー ,  バンド構造 ,  表面準位 ,  パターン形成 ,  キャリア移動度 ,  FET【トランジスタ】 ,  拡散 ,  クラスタ化 ,  配向秩序 ,  分解能
準シソーラス用語： NEXAFS ,  X線吸収端近傍微細構造 ,  チオフェン誘導体 ,  バンド曲がり ,  OFET ,  位置分解能 ,  化学構造 ,  原子拡散 ,  固固界面 ,  構造損傷 ,  構造破壊 ,  紫外線光電子分光法 ,  側方拡散 ,  秩序構造 ,  電界効果形トランジスタ ,  有機エレクトロニクスデバイス ,  溶液処理

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 5,11-ビス(トリエチルシリルエチニル)-1,7-ジチアジシクロペンタ[b,i]アントラセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶融 ,  金属原子 ,  頭頂 ,  半導体薄膜 ,  損傷