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J-GLOBAL ID：201502210550080928   整理番号：15A0938953

歪んだn型およびp型変調ドープGaInNAs/GaAs量子井戸における量子振動と干渉効果

Quantum oscillations and interference effects in strained n- and p-type modulation doped GaInNAs/GaAs quantum wells

著者 (8件)： SARCAN F (Istanbul Univ., Istanbul, TUR) ,  NUTKU F (Istanbul Univ., Istanbul, TUR) ,  DONMEZ O (Istanbul Univ., Istanbul, TUR) ,  KURUOGLU F (Istanbul Univ., Istanbul, TUR) ,  MUTLU S (Istanbul Univ., Istanbul, TUR) ,  EROL A (Istanbul Univ., Istanbul, TUR) ,  YILDIRIM S (Istanbul Univ., Istanbul, TUR) ,  ARIKAN M C (Istanbul Univ., Istanbul, TUR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48  号： 30  ページ： 305108,1-9  発行年： 2015年08月05日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V化合物GaInNAs/GaAsは,その発見以来,優れた光学的電気的性質のチューニング可能性から注目され,多くの研究がなされている。バンドギャップ,有効質量,格子定数などを窒素含有量により変えることができる。通常のIII-V化合物と異なり,数%の窒素を含むGaInAsはバンドギャップを大幅に減少させ,有用なオプトエレクトロニクス素子材料となる。この優れた性質にもかかわらず,窒素の存在は,結晶の品質を著しく低下させる。本研究では,窒素原子の存在がGaInNAs/GaAs量子井戸構造の磁場の存在下での輸送現象に与える影響を調べた。n型およびp型変調ドーピングを施したGaInNAs/GaAs量子井戸の磁気抵抗を測定した。ρ_xxの量子振動と,ρ_xyの量子Hall効果(QHE)のプラトーが,窒素原子の存在により影響を受けることを見いだした。ドーピングよる窒素原子に関係した電子散乱と有効質量が増強される結果,電子移動度が低下し,二次元電子ガス密度が高くなり,QHEプラトーが抑制された。一方,低磁場において,Shubnikov-de Haas振動が発達し,その振動強度は窒素含有量とともに減少した。n型試料について観測されたQHEの異常は,窒素に関連した無秩序とLandau準位ゆらぎの重なり合いにより生じた。n型試料において観測された弱い反局在化は,強いスピン軌道結合の存在を示唆するものである。

シソーラス用語： *変調ドーピング ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  窒化物 ,  ヒ化ガリウム ,  *化合物半導体 ,  *量子干渉効果 ,  *振動 ,  *量子井戸 ,  バンドギャップ ,  磁気抵抗 ,  量子Hall効果 ,  Shubnikov-de Haas効果 ,  Anderson局在
準シソーラス用語： GaInNAs ,  *量子振動 ,  弱局在

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 変調ドープ ,  GaInNAs ,  GaAs ,  量子井戸 ,  量子振動 ,  干渉効果