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J-GLOBAL ID:201502210627587346   整理番号:15A1399737

置換スチレンの表面開始ATRPにおける置換基効果

Substituent effects in surface-initiated ATRP of substituted styrenes
著者 (2件):
資料名:
巻: 359  ページ: 911-916  発行年: 2015年12月30日 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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置換スチレンの表面開始原子移動ラジカル重合(ATRP)は,金表面から一様で厚い置換ポリスチレンブラシの迅速合成(1時間で>100nm)に導く。高成長速度が,メタ/パラ位置に電子求引性基で置換されたスチレン類で観察された。表面と溶液重合において見られる影響は,電子求引性基を有するスチレンに関して,および,オルトとパラ位の電子供与体に関して類似である。しかし,メタ位の電子供与体は驚くほど速い成長速度を持ち,それは停止の立体的抑止によるかもしれない。置換スチレン類の総表面重合速度を分析し,ρ=0.51でHammett関係に従うことが分かった。ktへのkpの比は,反応が停止の前に高重合度に至る尤度の指標である。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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