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J-GLOBAL ID：201502210665813138   整理番号：15A0597296

強磁性トンネルコンタクトをもつ低ショットキーバリヤ黒リン電界効果デバイス

Low Schottky Barrier Black Phosphorus Field-Effect Devices with Ferromagnetic Tunnel Contacts

著者 (4件)： KAMALAKAR M. Venkata (Dep. of Microtechnology and Nanoscience, Chalmers Univ. of Technol., SE-41296, Goeteborg, SWE) ,  MADHUSHANKAR B. N. ,  DANKERT Andre ,  DASH Saroj P.
資料名： Small  (Small)
巻： 11  号： 18  ページ： 2209-2216  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒リン(BP)は,最近,有望な2D直接バンドギャップ半導体材料として明らかにされている。ここでは,強磁性トンネルコンタクトをもつBPのナノ層の二極性電界効果トランジスタ挙動についてレポートした。TiO₂/Coコンタクトを用いて,ゲート電圧によりさらに調整できる低減したショットキーバリヤ<50meVが得られた。良好なトランジスタ性能が,4~6桁の大きさのドレイン電流変調,および室温での正孔電導に対するμ_h=155cm²V^-1s^-1の移動度により,ここで議論したデバイスにおいて達成された。スピン拡散モデルを用いた磁気抵抗の計算は,BPデバイスにおけるソース-ドレイン接触抵抗が,スピン分極正孔の注入と検出のために適当な範囲にゲート電圧により調整できることを明らかにした。本研究の結果は,効率的なナノエレクトロニクスおよびスピントロニクスデバイスのためのBPナノ層の展望を実証した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *黒リン ,  *Schottky障壁 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *トンネル接合 ,  *磁気抵抗効果 ,  バンドギャップ ,  二次元 ,  半導体材料 ,  ナノ構造 ,  超薄膜 ,  酸化チタン ,  コバルト ,  ゲート【半導体】 ,  電圧 ,  ドレイン【半導体】 ,  電流制御 ,  室温 ,  *キャリア移動度 ,  *スピン拡散 ,  数学モデル ,  磁気抵抗 ,  ソース【半導体】 ,  接触抵抗 ,  *スピン分極 ,  正孔 ,  *キャリア注入 ,  電子技術 ,  スピントロニクス ,  ナノシート
準シソーラス用語： 強磁性トンネル接合 ,  直接バンドギャップ ,  ナノ層 ,  ゲート電圧 ,  電流変調 ,  拡散モデル ,  正孔注入 ,  ナノエレクトロニクス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強磁性 ,  トンネル ,  コンタクト ,  ショットキーバリヤ ,  黒リン ,  電界効果デバイス