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J-GLOBAL ID：201502210697938553   整理番号：15A1314771

C面SiC上に成長したグラフェンの内殻準位とπバンド電子構造におけるLi誘起効果

Li induced effects in the core level and π-band electronic structure of graphene grown on C-face SiC

著者 (3件)： JOHANSSON Leif I. (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE) ,  XIA Chao (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE) ,  VIROJANADARA Chariya (Dep. of Physics, Chemistry and Biology, Linkoeping Univ., SE-58183 Linkoeping, SWE)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 6  ページ： 061405-061405-6  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： C面SiC上に調製したグラフェン試料に対して,Liを蒸着し,続いて加熱した後,誘起される効果の研究を報告する。調製したままのグラフェン試料は本質的にアンドープであるが,Li蒸着後,Dirac点は,電子ドーピングが原因となってFermi準位の下1.2eVまでシフトした。C 1s準位の形状も,グラフェンの内殻準位スペクトルの最近の計算結果と比較したとき,Li蒸着後,10¹⁴cm^-2のドーピング濃度を示している。C 1s,Si 2p,及びLi 1s内殻準位の結果は,蒸着後,直接インターカレーションは殆どないが,Liの大部分が280°Cで加熱後,インターカレートすることを示す。高温で加熱すると,試料からLiが脱着し,1030°CではLiが試料上にもはや検出されなかった。従来型の角度分解光電子分光法における多層C面グラフェン試料から観測した単一πバンドは,最初の調製したままの試料とLi蒸着後両方でリーズナブルに鋭かった。280°Cで加熱後,πバンドはより散漫になり,分裂した可能性がある。Dirac点はFermi準位の下0.4eVのところにあり,電子ドーピング濃度の著しい減少が起きていることを示す。調製したままのグラフェンC面試料,またLi蒸着後,及び280°Cで加熱後から求めた一定エネルギー光電子分布パターンは,単層グラフェンの初期に計算で得られた分布パターンと非常に良く似ている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *グラフェン ,  *内殻準位 ,  π電子 ,  *バンド構造 ,  リチウム ,  真空蒸着 ,  ドーピング ,  インターカレーション ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  *光電子スペクトル
準シソーラス用語： ARPES ,  Dirac点 ,  *πバンド

分類 (2件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  成長 ,  グラフェン ,  内殻準位 ,  バンド ,  電子構造 ,  Li