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J-GLOBAL ID：201502210710406876   整理番号：15A1175323

レーザ誘起光キャリア放射測定によるシリコンウエハの走査イメージングに関する実験的研究【Powered by NICT】

Experimental study on scan imaging of silicon wafer by laser-induced photocarrier radiometry

著者 (5件)： Liu Junyan (School of Mechatronics Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin) ,  Song Peng (School of Mechatronics Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin) ,  Qin Lei (School of Mechatronics Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin) ,  Wang Fei (School of Mechatronics Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin) ,  Wang Yang (School of Mechatronics Engineering, Harbin Inst. of Technol., Harbin)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 64  号： 8  ページ： 087804-01-087804-08  発行年： 2015年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,バイポーラ半導体の変調レーザ誘起過剰少数キャリア密度波(CDW)を開発した。周波数領域におけるCDWの解析的表現を紹介した。数値シミュレーションは,半導体シリコンウエハのための周波数へのレーザ誘起光キャリア放射測定(PCR)信号の応答に及ぼす少数キャリア輸送パラメータ(少数キャリア寿命,拡散係数,および二つの表面再結合速度)の影響を解析するために実施した。PCR振幅は少数キャリア寿命の増加と共に増加し,キャリア拡散係数と表面再結合速度の増加とともに減少した。とは対照的に,PCR位相遅れは少数キャリア寿命の増加と共に減少し,キャリア拡散係数と表面再結合速度の増加と共に増加した。表面上の人工欠陥(機械的スクラッチ)とシリコン(Si)ウエハをPCR走査画像システムで実験的に研究した。少数キャリア輸送パラメータの分布図はキャリア密度波解析的表現に基づいた最良適合法により得られ,キャリア輸送パラメータに及ぼす人工欠陥の影響を詳細に検討した。実験結果は人工損傷位置における表面再結合速度とキャリア拡散率は健常領域と比較して劇的に増加することを示した。全Siウエハのキャリアのバルク寿命はPCR走査画像測定により約38.33μsであった。同時に,準定常状態フォトコンダクタンス(QSSPC)法をSiウエハのキャリア有効寿命を測定するために使用され,それは約33.85μsである。PCR走査画像計測によるSiウエハのキャリアのバルク寿命はQSSPC測定と良く一致した。QSSPC測定はSiウエハのキャリア有効寿命を得ることができた。PCR走査画像計測はQSSPC測定と比較して高分解能でキャリア輸送パラメータを測定するために,局所欠陥を評価するために用いることができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャリア ,  密度波 ,  放射測定 ,  キャリア拡散 ,  走査 ,  耐用年数 ,  拡散係数 ,  キャリア密度 ,  少数キャリア
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  数値シミュレーション ,  解析表現 ,  実験研究 ,  *シリコンウエハ ,  *レーザ誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (7件)： レーザ誘起 ,  光キャリア ,  放射測定 ,  シリコンウエハ ,  走査 ,  イメージング ,  実験的研究