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J-GLOBAL ID：201502210718218858   整理番号：15A1314208

一連のN₅系芳香族ハイパーハロゲンアニオンの理論的特性化

Theoretical characterization of a series of N₅-based aromatic hyperhalogen anions

著者 (8件)： SUN Wei-Ming (Inst. of Theoretical Chemistry, Jilin Univ., Changchun 130023, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  HOU Dan ,  WU Di ,  LI Xiang-Hui ,  LI Ying ,  CHEN Jing-Hua ,  LI Chun-Yan ,  LI Zhi-Ru
資料名： Dalton Transactions  (Dalton Transactions)
巻： 44  号： 46  ページ： 19901-19908  発行年： 2015年12月14日 
JST資料番号： A0270A  ISSN： 1477-9226  CODEN： DTARAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイパーハロゲンは,大きな負電荷を持つ分子であり,この電子親和度は,これらのスーパーハロゲン配位子のそれを大きく超える。このような化学種は,新たな酸化剤,バイオ触媒,及び通常でない塩のビルディングブロックとしての役目を果たす可能性があるので,化学産業にとって重要である。本研究で筆者らは,配位子として安定なN₅^-を用いて,一連の芳香族ハイパーハロゲンアニオン,即ち,単核M(N₅)_k+1^-(M=Li,Be,B)と二核M₂(N₅)_2k+1^-(M=Li,Be)をはじめて報告する。密度汎関数理論に基づく計算結果は,すべてのN₅^-サブユニットが,構造と電子の統合性を芳香族性と共に維持することを明らかにした。特に,これらのアニオン分子は,スーパーハロゲン配位子N₅^-のそれよりも大きな垂直電子脱離エネルギー(6.76~7.86eV)を示し,それらのハイパーハロゲン性を裏付ける。本研究のアニオンの安定性は,これらの大きなHOMO-LUMOギャップと予め決定されたフラグメンテーション経路の正の解離エネルギーによって保証される。筆者らは,本研究が,新たな型のハイパーハロゲン分子についての証拠を示すだけでなく,驚くべきスーパーアトム領域の研究の関心も刺激する。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *窒素複素環化合物 ,  *アニオン ,  *錯体 ,  リチウム錯体 ,  ベリリウム錯体 ,  ホウ素錯体 ,  二核錯体 ,  密度汎関数法 ,  *芳香族性 ,  安定性 ,  エネルギーギャップ ,  開裂反応 ,  解離エネルギー ,  電子構造
準シソーラス用語： *1H-ペンタゾール ,  DFT計算 ,  HOMO-LUMOギャップ ,  単核錯体 ,  B3LYP

分類 (2件)： 非遷移金属元素の錯体  (CE01030C) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 芳香族 ,  理論 ,  特性化