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J-GLOBAL ID:201502210786596380   整理番号:15A0886155

二層グラフェンにおける共鳴状態によって誘起された反Kleinトンネル効果の破壊

Destruction of anti-Klein tunneling induced by resonant states in bilayer graphene
著者 (4件):
資料名:
巻: 48  号: 28  ページ: 285102,1-6  発行年: 2015年07月22日 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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筆者らは(E,ky)(ここで,E:入射エネルギー,ky:横方向波数ベクトル)空間の電子状態の特性と二層グラフェン(BG)における多重電子障壁を通る透過共鳴に及ぼすそれらの効果を検討した。最も顕著な結果は直角入射での完全透過が線型共鳴により生じ得ることである。入射エネルギーが井戸中の準束縛状態のエネルギー準位と一致するとき,直角入射の完全透過が観測される。それは構造パラメータの変化に対して頑強である。線型共鳴の特徴と分割則はFabry-Perot共振と異なる。というのは,それらは異なるメカニズムによって制御される。線型共鳴はまた,層間バイアスに対するギャップ領域で観測され,誘起された制御可能なコンダクタンス共鳴はフィルタリング挙動を示唆する。さらに,両方の共鳴の形状と位置が障壁高さと障壁幅に敏感に依存する。調査はグラフェンベース素子の設計に有益であると思う。
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