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J-GLOBAL ID：201502210789442619   整理番号：15A1088938

変形硫化工程によるCu₂ZnSnS₄薄膜特性の改善

Improvement of Cu₂ZnSnS₄ thin film properties by a modified sulfurization process

著者 (5件)： SEO Dongwan (Dep. of Chemical and Biomolecular Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  NA Jihoon (Dep. of Chemical and Biomolecular Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  KIM Changheon (Dep. of Chemical and Biomolecular Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  JEONG Chaehwan (Solar Cell Res. Group, Korea Inst. of Industrial Technol., Gwangju 500-480, KOR) ,  LIM Sangwoo (Dep. of Chemical and Biomolecular Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 591  号： PB  ページ： 289-294  発行年： 2015年09月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 後処理の硫化をともなうCZTS(Cu₂ZnSnS₄)薄膜の溶液をベースとする作成時に,MoS₂層がCZTS-Mo界面に形成される。このMoS₂層は,CZTS膜内の硫黄の拡散よりも,主にH₂S雰囲気ガスにおける硫化過程で支配される。CZTS粒と粒界の成長が,任意の硫化過程でもMoS₂層の形成を容易している。2ステップ硫化系列では,第二の硫化段階における温度上昇を介して直列抵抗の低下と電流密度および太陽電池効率の増加が実現する。比較的薄いMoS₂層をもつCZTS薄膜太陽電池の性能は,CZTS粒の形成で支配されるが,MoS₂層が十分厚い場合,再結合速度およびCZTSとMo間の正孔障壁効果の増大のために,性能の劣化が生じる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化物 ,  スズ化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *銅化合物 ,  化合物半導体 ,  *硫化 ,  *半導体薄膜 ,  溶液成長 ,  薄膜成長 ,  *硫化モリブデン ,  *工程 ,  電流密度 ,  *太陽電池 ,  *エネルギー変換効率 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： *二段階工程

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 硫化 ,  Cu2ZnSnS4 ,  膜特性