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J-GLOBAL ID：201502210801235497   整理番号：15A0771951

局所過熱誘導相転移による金属性Ag₂Sメモリスタ中の抵抗スイッチング

Resistive switching in metallic Ag₂S memristors due to a local overheating induced phase transition

著者 (4件)： GUBICZA Agnes (Dep. of Physics, Budapest Univ. of Technol. and Economics, Budafoki ut 8, 1111 Budapest, Hungary. ...) ,  CSONTOS Miklos ,  HALBRITTER Andras ,  MIHALY Gyoergy
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 26  ページ： 11248-11254  発行年： 2015年07月14日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不活性金属チップと薄いAg₂S層により被覆されたAg膜間で形成されたナノメータスケール金属接合中の抵抗スイッチングを異なるバイアス条件における温度の関数として調べた。オンとオフ状態抵抗に沿って観測したスイッチング閾値を接合容積の局所過熱とそれがもたらしたAg₂Sマトリックスの構造相転移を考慮して定量的に理解した。これらの結果により,Ag₂Sに基づくナノ接合中の抵抗スイッチングの基本特性が適切な試料調整とバイアススキームにより簡単に最適化できることを実証した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *スイッチング ,  *構造相転移 ,  *ナノ構造 ,  金属性 ,  硫化銀 ,  過熱 ,  オンオフ制御 ,  バイアス
準シソーラス用語： ナノ接合 ,  メモリスタ ,  温度の関数 ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  熱誘起相分離

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固相転移  (BL04020G) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 過熱 ,  誘導 ,  相転移 ,  金属性 ,  Ag2S ,  メモリスタ ,  抵抗スイッチング