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J-GLOBAL ID：201502210806068700   整理番号：15A1205420

パターン化サファイア基板と帯状分布電流ブロッキング層を備えた高効率かつ信頼できる高電力LED

Highly efficient and reliable high power LEDs with patterned sapphire substrate and strip-shaped distributed current blocking layer

著者 (7件)： ZHOU Shengjun (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  ZHOU Shengjun (State Key Lab. of Mechanical System and Vibration, School of Mechanical Engineering, Shanghai Jiao Tong Univ. ...) ,  YUAN Shu (Quantum Wafer Inc., Foshan 528251, CHN) ,  LIU Yingce (Quantum Wafer Inc., Foshan 528251, CHN) ,  GUO L. Jay (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Univ. of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  LIU Sheng (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN) ,  DING Han (State Key Lab. of Mechanical System and Vibration, School of Mechanical Engineering, Shanghai Jiao Tong Univ. ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 355  ページ： 1013-1019  発行年： 2015年11月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,錐状パターン化サファイア基板(PSS)と帯状SiO₂分布電流ブロッキング層(DCBL)を用い,高電力LEDの光学的電気的性能の改善が達成されることを実証した。著者らは,透過電子顕微鏡(TEM)観察によって,PSS上に成長したGaNエピタキシャル層に存在するらせん転位と刃状転位の密度がともに,平坦サファイア基板(FSS)上に成長したGaNエピタキシャル層のそれよりもずっと小さいことを見出した。FSS上に成長したLEDとの比較で,PSS上に成長したLEDは,より高いサブ閾値順方向バイアス電圧とより低い逆方向漏れ電流を示し,デバイス信頼性の増強をもたらした。著者らはまた,帯状p電極下に帯状SiO₂DCBLを設計したが,これは帯状p電極に直接隣接した領域の電流の集中を回避することによって,活性領域への一様な電流拡がりを容易にする。帯状SiO₂DCBLの組み込みによって,高電力PSS-LEDチップの光出力電力はさらに13%の増大が可能であった。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *基板 ,  *層 ,  *窒化ガリウム ,  信頼度 ,  転位【結晶】 ,  出力 ,  電力 ,  効率
準シソーラス用語： *サファイア基板 ,  *ブロッキング層 ,  光出力 ,  高電力 ,  発光効率 ,  半導体デバイス信頼性

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： パターン化 ,  サファイア基板 ,  帯状分布 ,  ブロッキング層 ,  高効率 ,  信頼 ,  高電力 ,  LED