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J-GLOBAL ID：201502210828112230   整理番号：15A1106827

半導体SWNTのネットワーク:ミッドギャップ電子状態の電気輸送への寄与

Networks of Semiconducting SWNTs: Contribution of Midgap Electronic States to the Electrical Transport

著者 (5件)： ITKIS Mikhail E. (Univ. California, California, USA) ,  PEKKER Aron (Univ. California, California, USA) ,  TIAN Xiaojuan (Univ. California, California, USA) ,  BEKYAROVA Elena (Univ. California, California, USA) ,  HADDON Robert C. (Univ. California, California, USA)
資料名： Accounts of Chemical Research  (Accounts of Chemical Research)
巻： 48  号： 8  ページ： 2270-2279  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： B0966A  ISSN： 0001-4842  CODEN： ACHRE4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空熱処理した分離半導体単層カーボンナノチューブ(SC-SWNT)は1/2エネルギーギャップに相当する活性化エネルギーE_a≒0.3eVをもつことが期待される。驚くことに,このような薄膜はわずか0.24meVのE_aを有する極め小さい傾斜を示す。その値は期待値の~14倍以下である。S₁₁ピークが実在励起子であるとすれば,連続体状態間のエネルギー分離に相当するなお一層高いE_aが予想される。しかるに,純粋SC-SWNTは構成SC-SWNTのバンドギャップに相当するバンドギャップを有する真性半導体として振舞わない。本報告はパーコレーション研究で先に利用したSC-SWNTネットワークにおける温度依存電気伝導度機構に関する研究を示した。これらのネットワーク中の非理想的電気輸送に関する幾つかの可能説明があるが,多くのそれらしい候補はSC-SWNTに欠陥から生じるミッドギャップ状態の存在である。

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *エネルギーギャップ ,  *バンドギャップ ,  電子状態 ,  電子構造 ,  *エレクトロトランスポート ,  電気伝導率 ,  温度依存性 ,  ホッピング伝導 ,  Fermi準位 ,  トンネル効果 ,  電気抵抗率 ,  活性化 ,  熱影響 ,  Coulombブロッケード ,  状態密度 ,  物理的性質 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  Raman分光法 ,  ネットワーク構造 ,  真性半導体 ,  半導体薄膜 ,  活性化エネルギー ,  パーコレーション ,  格子欠陥
準シソーラス用語： Coulomb閉塞 ,  SWNT ,  トンネリング ,  *ミッドギャップ ,  走査トンネル顕微鏡 ,  電気伝導度 ,  *電気輸送 ,  電子状態密度 ,  電子物性 ,  熱活性化

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： SWNT ,  ミッドギャップ ,  電子状態 ,  電気輸送