化学溶液堆積により作製した(Ho,Mn)共ドープBiFeO<sub>3</sub>薄膜のマルチフェロイック特性の向上

YE Wei; TAN Guoqiang; DONG Guohua; REN Huijun; XIA Ao

文献

J-GLOBAL ID：201502210858219020 整理番号：15A0419150

化学溶液堆積により作製した(Ho,Mn)共ドープBiFeO₃薄膜のマルチフェロイック特性の向上

Improved multiferroic properties in (Ho, Mn) co-doped BiFeO₃ thin films prepared by chemical solution deposition

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=15A0419150&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=15A0419150&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0705A") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 41 号： 3 PB ページ： 4668-4674 発行年： 2015年04月
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

化学溶液堆積法により,FTO/ガラス基板上への準BiFeO₃(BFO),Bi_0.92Ho_0.08FeO₃(BHFO)およびBi_0.92Ho_0.08Fe_0.97Mn_0.03O₃(BHFMO)膜の堆積に成功した。X線回折,Rietveld精密化,およいRamanスペクトルの結果,BHFCおよびBHFMO膜において菱面体(R3c:H)から2相構造(R3c:H+R-3m:R)への構造相転移が生じていることが分かった。HoとMnの共ドーピングにより,向上した誘電特性,漏れ電流,強誘電特性および強磁性が得られた。BHFMO膜では巨大残留分極(2P_r~231.4μC/cm²)が観察された。さらに,BHFMO膜の漏れ電流密度(400kV/cmにおいて4.02×10^-4A/cm²)が,純BFOと比べて2桁低減した。BHFMO膜の優れたマルチフェロイック特性は主に構造相転移と低漏れ電流に起因した。さらに,BHFMO膜は向上した強磁性(M_s~2.74emu/cm³)を示し,構造相転移による空間変調スピン構造の破壊が示唆された。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , ,
, , , , , , , ,

セラミック・陶磁器の製造 , セラミック・磁器の性質

, , , , , , ,

前のページに戻る

化学溶液堆積により作製した(Ho,Mn)共ドープBiFeO3薄膜のマルチフェロイック特性の向上

化学溶液堆積により作製した(Ho,Mn)共ドープBiFeO₃薄膜のマルチフェロイック特性の向上