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J-GLOBAL ID：201502210872786532   整理番号：15A1140695

電界の下での0.85Ba(Ti0.96Zr0.04)O₃-0.15Bi(Mg_0.5Ti_0.5)O₃リラクサー強誘電体の誘電応答:PNRの進展

Dielectric response of 0.85 Ba(Ti0.96Zr0.04)O₃-0.15 Bi(Mg_0.5Ti_0.5)O₃ relaxor ferroelectrics under electric field: evolution of PNRs

著者 (5件)： ZHANG Lin (Wuhan Univ. of Technol., State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, School of ...) ,  HAO Hua (Wuhan Univ. of Technol., State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, School of ...) ,  LIU Hanxing (Wuhan Univ. of Technol., State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, School of ...) ,  CAO Minghe (Wuhan Univ. of Technol., State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, School of ...) ,  YAO Zhonghua (Wuhan Univ. of Technol., State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, School of ...)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 11  ページ： 9146-9151  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.85Ba(Ti0.96Zr0.04)O₃-0.15Bi(Mg_0.5Ti_0.5)O₃リラクサー強誘電体セラミック試料を伝統的な固相反応法で合成した。XRD測定の45°で(200)の非対称単一ピークが現れ,誘電率-温度スペクトルとスリムだが認識できるヒステリシスループにおける拡散相遷移と結んで試料の常磁性マトリクスにおける極性ナノ領域(PNR)の存在を証明している。PNRの進展を解析するのに,電界(電界強度と電界履歴を変えて)の下におけるセラミック試料の誘電応答の調査を行った。誘電率の電界依存性は小信号バイアス電界測定とP-Eカーブからの微分計算の両方から得られ,それは限界電界で最初に最大値に達してそれから直接減少するのではなく電界の増加で連続的に減少した。しかしながら,誘電率とバイアス電界測定の限界電界はP-Eカーブからの微分計算のものにたいして電気的に履歴性である。ガラスモデルとマクロマイクロ理論モデルの両方を,別の観点からPNRの進展を調べ説明するために採用した。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： リラクサ ,  応答 ,  チタン酸バリウム ,  チタン酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  電場 ,  *セラミック ,  固相反応 ,  *強誘電分域 ,  X線回折 ,  誘電率 ,  曲線 ,  依存性
準シソーラス用語： チタン酸ビスマス ,  ヒステリシスループ ,  *リラクサ強誘電体 ,  極性ナノ領域 ,  電界 ,  電界依存性 ,  *誘電応答

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電界 ,  O3 ,  リラクサー強誘電体 ,  誘電応答 ,  進展